长鑫科技请求一种半导体结构及其制作办法专利供给一种新的半导体结构及其制作办法

  金融界2025年1月28日音讯，国家知识产权局信息数据显现，长鑫科技集团股份有限公司请求一项名为“一种半导体结构及其制作办法”的专利，揭露号 CN 119361564 A，请求日期为 2023年7月。

  专利摘要显现，本揭露触及半导体范畴，供给了一种半导体结构及其制作办法。半导体结构包含：中介层，中介层包含深沟槽电容阵列和设置于深沟槽电容阵列之间的阻隔结构；其间，深沟槽电容阵列包含多个深沟槽电容，阻隔结构至少部分盘绕深沟槽电容阵列最边际侧的深沟槽电容。

  天眼查资料显现，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，坐落合肥市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册本钱5777094.224万人民币，实缴本钱5363300万人民币。经过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外出资了17家企业，参加招投标项目1088次，知识产权方面有商标信息207条，专利信息227条，此外企业还具有行政许可28个。

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